測(cè)量項(xiàng)目：漏電流（Io）、阻性漏電流（Ior）。
測(cè)量電路數(shù)：2個(gè)電路。
測(cè)量泄漏電流的絕緣監(jiān)視模塊。
可對(duì)漏電流進(jìn)行測(cè)量，以確保安全通過監(jiān)視漏電流（Io），可檢測(cè)出觸電危險(xiǎn)QD75MH4手冊(cè)。
可連續(xù)不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣狀態(tài) 測(cè)量阻性漏電流（Ior），
以便不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣老化狀況。
可對(duì)每個(gè)測(cè)量項(xiàng)目進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視可分別對(duì)漏電流（ Io）、阻性漏電流（Ior）進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視，
無(wú)需梯形圖程序QD75MH4報(bào)警監(jiān)視分為注意報(bào)警和危險(xiǎn)報(bào)警2階段。
一個(gè)模塊可測(cè)量?jī)蓚€(gè)電路 一個(gè)模塊可對(duì)同一系統(tǒng)中相同相線式電源的兩個(gè)電路進(jìn)行測(cè)量QD75MH4手冊(cè)。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。
［測(cè)量項(xiàng)目］漏電流（ Io）、阻性漏電流（ Ior）。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.5A/點(diǎn)；4A/公共端。
OFF時(shí)漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時(shí)間：1ms。
16點(diǎn)1個(gè)公共端QD75MH4手冊(cè)。
源型。
18點(diǎn)彈簧夾接線端子。
帶浪涌吸收器。
帶保險(xiǎn)絲。
超高速處理，生產(chǎn)時(shí)間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時(shí)間是非常必要的。
通過超高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時(shí)間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差三菱定位模塊手冊(cè)。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無(wú)法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡(jiǎn)化了編程三菱定位模塊手冊(cè)。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域三菱定位模塊手冊(cè)。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動(dòng)時(shí)間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時(shí)的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時(shí)間等，可縮短設(shè)備故障分析時(shí)間和啟動(dòng)時(shí)間。
此外，在多CPUU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時(shí)間QD75MH4用戶手冊(cè)。
可用編程工具對(duì)收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分分析，
并以圖表和趨勢(shì)圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化QD75MH4手冊(cè)。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。