輸入電壓范圍：DC24V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：8.5A。
簡化程序調(diào)試
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨執(zhí)行動作。
因此，不需要單獨為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡單QD74MH16
自動備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)
將程序和參數(shù)文件自動保存到無需使用備份電池的程序存儲器（Flash ROM）中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長假期間等計劃性停機(jī)時，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時，備份的數(shù)據(jù)將自動恢復(fù)。
通過軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴(kuò)展到60K點，使程序更容易理解。應(yīng)用：Q系列用。
適合安全標(biāo)準(zhǔn)：EN954-1類別4，ISO13849-1 PLe。
安全輸入點數(shù)：1點。
增設(shè)臺數(shù)：增設(shè)用安全繼電器模塊最多3臺。
使用專用設(shè)定監(jiān)控工具直觀地進(jìn)行配置。
構(gòu)成設(shè)定使用豐富的組件可輕松、快捷地設(shè)定硬件構(gòu)成。
創(chuàng)建邏輯對于安全設(shè)備，通過使用自動生成的標(biāo)簽的FB可以方便地創(chuàng)建邏輯。
邏輯的導(dǎo)入和導(dǎo)出。
可以只把對輸入輸出模塊的連接設(shè)定和通過功能塊創(chuàng)建的應(yīng)用邏輯作為一個設(shè)定文件進(jìn)行存儲，
或者從已保存設(shè)定文件進(jìn)行讀取。輸出點數(shù)：16點。
輸出電壓及電流：DC12~24V；0.5A/點；4A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：1ms。
16點1個公共端。
源型。
18點彈簧夾接線端子。
帶浪涌吸收器。
帶保險絲。
超高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間。。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。