輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：130K步。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：520KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）Q172CPUN編程手冊。
存儲(chǔ)卡I/F：SD存儲(chǔ)卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界Q172CPUN
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域Q172CPUN編程手冊。
另外，變址修飾的處理速度對(duì)結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號(hào)，為裝置的更加高精度化作出貢獻(xiàn)。
通過多CPU進(jìn)行高速、高精度機(jī)器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）最新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號(hào)的2倍，
確保了高速、高精度的機(jī)器控制Q172CPUN編程手冊。Q3MEM-4MBS，Q3MEM-8MBS更換用電池。輸入電壓范圍：AC200-240V。
輸出電壓：DC5V。
輸出電源：6A。
簡化程序調(diào)試。
可使用帶執(zhí)行條件的軟元件測試功能，在程序上的任意步，
將軟元件值更改為用戶指定值。
以往在調(diào)試特定回路程序段時(shí)，需要追加設(shè)定軟元件的程序，
而目前通過使用本功能，無需更改程序，即可使特定的回路程序段單獨(dú)執(zhí)行動(dòng)作。
因此，不需要單獨(dú)為了調(diào)試而更改程序，調(diào)試操作更簡單。
通過軟元件擴(kuò)展，更方便創(chuàng)建程序。
位軟元件的M軟元件和B軟元件最多可擴(kuò)展到60K點(diǎn)，使程序更容易理解。
自動(dòng)備份關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

將程序和參數(shù)文件自動(dòng)保存到無需使用備份電池的程序存儲(chǔ)器（Flash ROM）中中，
以防因忘記更換電池而導(dǎo)致程序和參數(shù)丟失Q172CPUN手冊Q172CPUN手冊。
此外，還可將軟元件數(shù)據(jù)等重要數(shù)據(jù)備份到標(biāo)準(zhǔn)ROM，
以避免在長假期間等計(jì)劃性停機(jī)時(shí)，
這些數(shù)據(jù)因電池電量耗盡而丟失。
下次打開電源時(shí)，備份的數(shù)據(jù)將自動(dòng)恢復(fù)。