SRAM存儲器卡，容量：1M字節(jié)。
尺寸：45*42.8*3.3mm
重量：15g。
支持SD存儲卡。
高速通用型QCPU支持SD存儲卡，
從而能夠與有SD存儲卡插口的PC之間輕松地實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交換三菱NZ1MEM-2GBSD。
另外、可同時使用SD存儲卡和擴(kuò)展SRAM卡。
因此，可利用擴(kuò)展SRAM卡擴(kuò)展文件寄存器，
可利用SD存儲卡同時進(jìn)行數(shù)據(jù)文件記錄、大量注釋數(shù)據(jù)保存、通過存儲卡進(jìn)行引導(dǎo)運(yùn)行NZ1MEM-2GBSD
更好的用戶體驗(yàn)數(shù)據(jù)記錄功能。
記錄方便，無需程序。
只需通過專門的配置工具向?qū)лp松完成設(shè)置，
便可將收集的數(shù)據(jù)以CSV格式保存到SD存儲卡三菱NZ1MEM-2GBSD。
可有效利用已保存的CSV文件方便地創(chuàng)建各種參考資料，
包括日常報告、生成報表及一般報告。
這些資料可應(yīng)用于啟動時的數(shù)據(jù)分析、追溯等。
毫無遺漏地記錄控制數(shù)據(jù)的變動
可在每次順序掃描期間或者在毫秒時間間隔內(nèi)收集數(shù)據(jù)，
毫無遺漏地記錄的控制數(shù)據(jù)的變動。
因此，在發(fā)生故障時，可快速確定原因，進(jìn)行的動作分析三菱NZ1MEM-2GBSD。輸出點(diǎn)數(shù)：8點(diǎn)。
輸出電壓及電流：DC5~24A/點(diǎn)；8A/公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：10ms。
漏型、源型共用型。
18點(diǎn)端子臺。
帶浪涌吸收器。
所有點(diǎn)獨(dú)立。
高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運(yùn)行周期時間是非常必要的三菱SD存儲卡。
通過高的基本運(yùn)算處理速度1.9ns，可縮短運(yùn)行周期。
除了可以實(shí)現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界三菱SD存儲卡。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域三菱SD存儲卡。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗(yàn)程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間NZ1MEM-2GBSD。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化三菱NZ1MEM-2GBSD。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示。