三相4線式。
測量電路數(shù)：3個電路。
測量項目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息原裝Q173DVCBL05M。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視最小值和最大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報警Q173DVCBL05M
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量原裝Q173DVCBL05M。
因此可獲得設(shè)備運行期間的電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。
在一個插槽中使用3相3線式產(chǎn)品最多可測量4個電路，
使用3相4線式產(chǎn)品最多可測量3個電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實施電能測量。
例如，可使用一個模塊測量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)原裝Q173DVCBL05M。輸入點數(shù)：伺服外部信號32點，8軸。
輸入方式：源型/漏型。
輸入輸出占用點數(shù)：32點。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界fx1n系列。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴展SRAM卡，方便地擴展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴展到文件寄存器的所有區(qū)域fx1n系列。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間fx1n系列。4軸，開路集電極輸出型。
2軸/3軸/4軸直線插補。
2軸弧線插補。
控制單位：mm、英寸、度、脈沖。
定位數(shù)據(jù)數(shù)：600個數(shù)據(jù)/軸。
最大脈沖輸出：200Kpps。
40針連接器。
定位模塊。
開路集電極輸出型。
差分驅(qū)動器輸出型。
根據(jù)用途分為開路集電極輸出型和差分驅(qū)動器輸出型 2 種類型。
差分驅(qū)動器輸出型定位模塊可將高速指令脈沖 ( 最高 4Mpps) 可靠地傳輸至伺服放大器，
傳輸距離可達(dá) 10 米，實現(xiàn)高速高精度的控制。
（開路集電極型定位模塊的指令脈沖最高為200kpps。）
具有卓越性能的各種模塊,
滿足從模擬量到定位的各種控制需求。
Q系列模塊產(chǎn)品包括種類豐富的各種I/O、模擬量和定位功能模塊。
可全面地滿足開關(guān)、傳感器等的輸入輸出，溫度、重量、流量和電機、驅(qū)動器的控制，
以及要求高精度控制的定位等各行業(yè)、各領(lǐng)域的控制需求。
還可與CPU模塊組合使用，實現(xiàn)恰恰如其分的控制。
以智能功能拓展展控制的可能性三菱。
提供各種模擬量模塊，是應(yīng)用于過程控制應(yīng)用的理想選擇。。原裝Q173DVCBL05M。
也可滿足高速、高精度控制需求。
最適合用于要求高速轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域的模擬量模塊。
可提供多種模數(shù)和數(shù)模轉(zhuǎn)換模塊產(chǎn)品。
這些模塊功能多樣，在連接設(shè)備時，實現(xiàn)了最大的靈活性。
可滿足變頻器控制等高速轉(zhuǎn)換需求。
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