運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
程序容量：1200K。
作為可編程控制器控制系統(tǒng)的核心，可編程控制器CPU模塊中已配備多種功能，
支持多種控制。程序容量從40K步到1200K步，可選擇最適合系統(tǒng)規(guī)模的CPU模塊。
并且具有可直接連接到工業(yè)網(wǎng)絡(luò)的CPU模塊，可降低系統(tǒng)構(gòu)建成本RJ71EN71
便于處理的軟元件/標(biāo)簽區(qū)域
將擴(kuò)展SRAM卡安裝到可編程控制器CPU模塊上后，
可擴(kuò)展最多 5786K 字的軟元件/標(biāo)簽存儲(chǔ)區(qū)域。
擴(kuò)展區(qū)域作為與內(nèi)置CPU模塊的存儲(chǔ)器相連的區(qū)域，
可自由分配軟元件/標(biāo)簽等的范圍。
因此，可輕松進(jìn)行編程，而無(wú)需考慮各存儲(chǔ)區(qū)域的邊界。
此外，還可使用SD存儲(chǔ)卡處理記錄的數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)等大容量數(shù)據(jù)。安全度等級(jí)（SIL）：SIL 3（IEC 61508）。
性能等級(jí)（ PL）：PL e（EN/ISO 13849-1）。
運(yùn)算控制方式：存儲(chǔ)程序反復(fù)運(yùn)算。
程序容量：1200K（安全程序用：40K）。
程序內(nèi)存：4800K。
軟元件/標(biāo)簽內(nèi)存：3370K。
數(shù)據(jù)內(nèi)存：40M。
統(tǒng)一程序開(kāi)發(fā)環(huán)境。
無(wú)論是一般控制程序還是安全控制程序，都可以整合為１個(gè)工程文件，
由GX Works3統(tǒng)一進(jìn)行管理。可省去管理多個(gè)工程文件的煩瑣操作。
在創(chuàng)建安全控制程序時(shí)，也和創(chuàng)建一般控制程序時(shí)相同，
可使用支持程序開(kāi)發(fā)的GXWorks3的各種功能。
通過(guò)高響應(yīng)性和豐富的程序容量提高生產(chǎn)效率。
有效利用高性能的MELSEC iQ-R系列和CC-Link IE Field網(wǎng)絡(luò)，
提高響應(yīng)性，改善生產(chǎn)效率。
此外，安全控制用程序容量增加到40K步,約為以往的3倍。
可通過(guò)使用安全CPU，處理復(fù)雜的大容量程序。輸出點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸出形式：繼電器輸出。
額定開(kāi)閉電壓、電流：DC24V/2A、AC240V/2A。
額定負(fù)載電壓：-。
最大負(fù)載電流：-。
響應(yīng)時(shí)間：12ms以下。
公共端方式：16點(diǎn)/公共端。
保護(hù)功能（過(guò)載、過(guò)熱）：-。
外部配線連接方式：18點(diǎn)螺釘端子臺(tái)。
輸出模塊帶機(jī)械式繼電器器觸點(diǎn)機(jī)構(gòu)，
包括所用的負(fù)載電壓范圍較大的繼電器輸出型和可用于DC12~24V負(fù)載的晶體管輸出型。

可根據(jù)負(fù)載電壓、輸出點(diǎn)數(shù)的不同，選擇最適合用戶需求的模塊。
根據(jù)繼電器觸點(diǎn)壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。
繼電器輸出模塊可累計(jì)各輸出點(diǎn)的ON次數(shù)。
可通過(guò)了解該繼電器觸點(diǎn)的開(kāi)關(guān)次數(shù)，根據(jù)繼電器壽命進(jìn)行預(yù)防性維護(hù)。