主底板I/O槽：10槽。
在輸入采樣階段，PLC控制器以掃描方式依次地讀入所有輸入狀態(tài)和數(shù)據(jù)，
并將它們存入I/O映象區(qū)中的相應(yīng)得單元內(nèi)。
輸入采樣結(jié)束后，轉(zhuǎn)入用戶程序執(zhí)行和輸出刷新階段C200H-BP002替換指南手冊(cè)。
在這兩個(gè)階段中，即使輸入狀態(tài)和數(shù)據(jù)發(fā)生變化，
I/O映象區(qū)中的相應(yīng)單元的狀態(tài)和數(shù)據(jù)也不會(huì)改變C200H-BP002
因此，如果輸入是脈沖信號(hào)，則該脈沖信號(hào)的寬度必須大于一個(gè)掃描周期，
才能保證在任何情況下，該輸入均能被讀入。UM：7K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)C200H-BP002替換指南手冊(cè)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。輸入點(diǎn)數(shù)：32點(diǎn)。
輸入電壓和電流：6mA，24VDC。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程C200H-BP002替換指南手冊(cè)。I/O點(diǎn)：4點(diǎn)輸入。
信號(hào)范圍選擇：每個(gè)輸入單獨(dú)設(shè)定。
外部連接：可拆卸端子塊。
一致的毫秒總處理能力：具有直接轉(zhuǎn)換的型號(hào)加入此產(chǎn)品系列。
用于將模擬量輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)位數(shù)據(jù)的模擬量輸入單元。
用于將二進(jìn)位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為模擬量輸出信號(hào)的模擬量輸出單元。
對(duì)于一個(gè)單元，最多輸入八個(gè)模擬量信號(hào)。
功能包括斷線檢測(cè)、平均、峰值保留、偏移/增益調(diào)整以及定標(biāo)。
(CJ1W-AD042不支持偏移/增益調(diào)整。只有CJ1W-AD042才支持定標(biāo)）。
直接轉(zhuǎn)換功能的20μs/點(diǎn)的高速A/D轉(zhuǎn)換* （僅限CJ1W-AD042）。回路數(shù)：2回路。
溫度傳感器輸入：鉑電阻輸入（JPt100、Pt100）。
控制輸出：加熱 ：電流輸出（線性） 冷卻 ：集電極開(kāi)路NPN輸出（脈沖）。
熱/冷溫度控制單元用一個(gè)單元實(shí)現(xiàn)二個(gè)回路的冷卻/加熱控制。
熱/冷溫度控制單元用所連接的溫度傳感器（熱電偶或熱電阻阻）測(cè)量物體的溫度，
并按預(yù)置的控制模式進(jìn)行加熱和冷卻C200H-BP002手冊(cè)。
采用先進(jìn)的PIDD和自適應(yīng)性能獲得穩(wěn)定的溫度控制C200H-BP002手冊(cè)。
可以選擇ON/OFF控制。
一個(gè)單元有二個(gè)熱/冷控制回路。
加熱器燒斷可利用最小2.5A電流差快速檢測(cè)，
加速器燒斷檢測(cè)設(shè)定范圍0.1~49.9A，有助于故障快速排除。