輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸入電壓和電流：200到240VAC。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置，
即可控制多達(dá)960個(gè)I/O點(diǎn)。或者，通過(guò)按住五個(gè)模擬量輸入單元和五個(gè)模擬量輸出單元，
也可控制多達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)C200H-ID501
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程。帶通信功能(RS-422)溫調(diào)器(THERMAC等)64臺(tái)一同監(jiān)視，無(wú)通信程序，也能變更設(shè)定值等。
最大可連接64臺(tái)帶通信功能(RS-422)的溫調(diào)器。
可在PC本身對(duì)溫調(diào)器作體監(jiān)視。
溫調(diào)器的設(shè)定變更簡(jiǎn)單，動(dòng)作可靠。
能夠從PC來(lái)控制溫調(diào)器的指令。
同PC之間的數(shù)據(jù)傳送不民供助程序。只能用在SYS-MAC-CPT上。
程序容量：63.2K字。
RS-232端口：有。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
擴(kuò)展數(shù)據(jù)內(nèi)存(EM)：6K字×3（48K字）。
處理時(shí)間(基本指令)：0.1μs。
I/O點(diǎn)數(shù)：1184點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：3臺(tái)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：8臺(tái)(2單元占用單元)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：16臺(tái)(1單元占用單元)。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶(hù)的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的高性能、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以最新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。
UM：3K字；
DM：1K字。
CPU有一一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROOM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫(xiě)入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。